Седня приступил к экспериментам с замкнутым сердечником.. То был сердечник разомкнутый, и походу из-за этого отсутствовала остаточная намагниченость, хотя мож я и ошибаюсь. А вот когда сердечник замкнут, т.е. две половинки стыкованы торцами друг с другом, и на одной намотана первичка на другой вторичка, в общем то интересные есть моменты, которых не видать было только на половине сердечника.
Первое что заметил - эт довольно сильная магнитострикция. Т.е. звук соответствует частоте .. при малой частоте слышимы щелчки. Ну поскольку ж импульсы я даю прямоугольные то понятно очему щелчки...
Второе - звук сильно зависит от того какой зазор между половинками. Видимо остаточная намагниченость уменьшается с ростом зазора и сила магнитострикции уменьшается.
Третье - Транзюк взял более высоковольтный, IRF510. ОЭДС импульсы около 200 с копейками вольт. Импульс этот практически входит в ограничение защитным встроенным диодом при любых напряжениях питания более 0,3 вольта. особо не старался смотреть что там при меньших напряжениях. Первичка и вторичка примерно по 10 витков (не считал)..
Четвертое - при изменнии частоты импульсов или питающего напряжения или скважности - меняется длительность импульса ОЭДС. Ну поскольку его ограничивает по амплитуде диод, то он своей шириной старается заместить неудавшийся рост амплитууды, для умещения туда той же энергии.
Пробовал найти границу, когда же получится полное насыщение сердечника, т.е. когда уже рост ширины импульса не продолжается.. Получил гдето между частотами 100 и 150гц. Т.е. как я искал:
Ставлю питание 0,5 вольта
Ставлю частоту 1кгц
Меняю скважность в пределах 20-80% наблюдаю изменения длины импульса.
После чего меняю частоту на 50гц и проделываю то ж самое, и вижу что ширина импульса не меняется. После этого ставлю 500гц, снова аналогично двигаю скважность, вижу что меньше чем на 1кгц.. Тогда выставил 200гц. - еще лучше.. В общем методом приближений нашел что на 150гц ширина импульса едва заметно меняется, а на частоте 100гц практически уже и не заметно изменения.
Это говорит о том что импульсы идущие с частотой 100гц, даже если они имеют скважность 20% , а период выходит 10мс, тогда длина импульса тока получается 1/5 от этой величины, т.е. 2мс вот это время и есть достаточным для пропитки всего сердечника вглубь магнитным потоком равномерно. Причем наклон импульса на вторичке это вроде как показывает нам скорость продвижения магнитного потока вглубь, а ширина импульса показывает двойное время полной пропитки сердечника магнитным потоком. Измерив диаметр сердечника, вернее радиус, можем вычислить среднюю скорость проникновения МП внутрь.
Ну вот что вышло..
Опыт 1
Питание 0,5 вольта
Частота импульсов 100гц
Скважность 20%
Ток потребления 100мА
Выход вторички амплитуда наведенная импульсом ОЭДС 120 вольт
Полная длительность импульса 1,62мкс
Все тож самое при скважности 80%
Ток потребления 470мА
Все остальное без изменений.
Опыт 2.
Питание 0,5 вольта
Частота импульсов 200гц
Скважность 20%
Ток потребления 80мА
Выход вторички амплитуда наведенная импульсом ОЭДС 120 вольт
Полная длительность импульса 1,55мкс
Все тож самое при скважности 80%
Ток потребления 460мА
Полная длительность импульса 1,60мкс
Все остальное без изменений
Какие выводы можем делать?
Что для получения импульса ОЭДС длиной каких-то 1,5-1,6мкс требуется накачка током не менее 1-2мс. Если на частоте 100гц скважность достаточна и 20%, то на частоте 200гц, скважности этой маловато и требуется 80% и даже немного более. Эт получается что - длина периода частоты 200гц равна 5мс, при скважности 80% получаем длинну токового импульса 4мс. Почему то 2 и даже 2,5мс недостаточно ... почему ? пока не знаю...
Но что точно понял так эт что при уменьшении токового импульса по силе (при понижении питания) или уменьшении его длительности сразу меняется ширина импульса во вторичке от импульса ОЭДС. Ну собственно оно отражает и параметры самого импульса ОЭДС. Думаю если б не ограничивающий диод в мосфете, то менялась бы амплитуда этого импульса.
Выходит что изменения питания определяют то, сколько вмемени необходимо для прокачки всего феррита. Но это и правильно. Ведь при увеличении питания ток выше, значит МП сильнее, значит скорость его пролазания внутрь выше, и времени на это требуется меньше. Предположу что при питании 1 вольт например длительность 1мс уже будет достаточно,..И при дальнейшем росте питания будет уменьшаться еще.
Да и еще что заметил четвертое что когда делаю зазор между половинами феррита то также уменьшается ширина импульса ОЭДС, примерно так же как если уменьшать скважность импульса тока или напряжение питания. Т.е. получается что энергия тратится гдето на потери в зазоре.